上海微零星所：国内首片300妹妹SOI晶圆制备实现
发布时间：2024-05-17 13:13:22 作者：玩站小弟 
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我要评论IT之家10月20日新闻，据中国迷信院上海微零星所新闻，上海微零星所魏星钻研员团队克日宣告，在300妹妹SOI晶圆制作技术方面已经取患上突破性妨碍，制备出了国内第一片300妹妹射频RF）SOI晶圆。据
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IT之家10月20日新闻，上海首片据中国迷信院上海微零星所新闻，微零上海微零星所魏星钻研员团队克日宣告，星所现在300妹妹SOI晶圆制作技术方面已经取患上突破性妨碍，国内制备出了国内第一片300妹妹射频（RF）SOI晶圆。妹妹
据悉，圆制相关科研团队基于集成电路质料天下重点试验室300妹妹SOI研发平台，备实挨次处置了300妹妹RF-SOI晶圆所需的上海首片低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜聚积、微零非打仗式平展化等诸多中间技术难题，星所现实现为了国内300妹妹SOI制作技术从无到有的国内严正突破。
为了制备适用于300妹妹RF-SOI的妹妹低氧高阻衬底，团队自主开拓了耦合横向磁场的圆制三维晶体妨碍传热传质模子，并初次揭示了晶体感应电流对于硅熔体内对于流以及传热传质的备实影响机制以及结晶界面临近氧杂质的输运机制，相关下场分说宣告在晶体学规模的上海首片顶级期刊上。
民间展现，多晶硅层用作电荷俘获层是RF-SOI中后退器件射频功能的关键技术，晶粒巨细、取向、晶界扩散、多晶硅电阻率等参数与电荷俘获功能有亲密的关连。
此外，由于多晶硅/硅的复合妄想，使患上硅晶圆应力极难操作。团队为制作适用于300妹妹RF-SOI晶圆的多晶硅层找到了适宜的工艺窗口，实现为了多晶硅层厚度、晶粒尺寸、晶向以及应力的家养调节。
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